技術文章
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SEMIKRON IGBT模塊SEMITRANS命名方法 SEMIKRON IGBT模塊SEMITRANS命名方法: SK M 200 GB 123D L ① ②③④ ⑤ ⑥⑦ ⑧⑧ ① SEMIKRON元件 ② M:MOS...發布時間：2012-07-01 12:14 點擊次數：818 次
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IGBT使用注意事項 IGBT使用注意事項： 使用中IGBT的注意事項 由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。 由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因...發布時間：2012-05-12 14:25 點擊次數：820 次
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IGBT驅動器 IGBT驅動器 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT模塊)在今天的電力電子領域中已經得到廣泛的應用， 在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣 至關重要。驅動器的選擇及輸出...發布時間：2012-04-06 10:55 點擊次數：958 次
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EUPEC模塊/英飛凌模塊命名方式 EUPEC是歐洲電力半導體與電子公司（European Semiconductors and Electronics Company） 的英文縮寫。中文注冊名稱為：優派克。EUPEC成立于1990年，由西門子和德國...發布時間：2012-02-28 10:40 點擊次數：865 次
