產品詳情
  • 產品名稱:富士IGBT模塊 P系列

  • 產品型號:2MBI300P-140
  • 產品廠商:FUJI
  • 產品價格:0
  • 折扣價格:0
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簡單介紹:
富士IGBT模塊 P系列IGBT模塊用于各種變頻器、逆變電焊、各類高頻感應加熱。富士IGBT模塊 P系列具有高耐壓的突出特點,特別適用于耐壓要求較高的產品,并能有效的代替其他電壓參數項較低的模塊。
詳情介紹:

富士電機開發了IGBT模塊作為電動機的可變速驅動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉換器的開關元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導體元件。


特長

實現了封裝小型化和輸出功率的提高!

  • 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
  • Tj max175°C、150°C時可保證連續運行

環境友好型模塊

  • 高裝配性,支持無焊裝配
  • 支持RoHS(部分除外)

開關特性

  • 改善噪音-損耗平衡
  • 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動



富士IGBT模塊 P系列IGBT采用GPT工藝制造,比PT (Punch-Through)IGBT有更多的優越性,特別適用于變頻器、交流伺服電機系統、UPS、電焊機電源等領域。
特性:
1.額定電流是 TC=80℃時的數值。
2.VCE(SAT)與溫度成正比,易于并聯。
3.開關損耗的溫度系數比PT-IGBT小,當溫度升高時,其開關損耗比PT-IGBT小。因此,P系列更適合高頻應用。
4.1400V系列模塊適合用于AC380~575V的功率變換設備。
5.P系列,尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的**工作區,RBSOA(反偏**工作區)和SCSOA(短路**工作區)都為矩形。其RBSOA可達額定電流的兩倍,SCSOA可達額定電流的十倍。因此,吸收電路可大大簡化,同時,短路承受能力大大提高。
6.低損耗、軟開關、dv/dt只有普通模塊的1/2,大大降低了EMI噪聲。


                                                                        

                                                         

        富士IGBT模塊 P系列

 “NPT”工藝,正溫度系數,P系列1400V IGBT模塊


型號

VCES
Volts

IC
TC=25oC/80oC
@cont.
Amps.

PC
@
Watts

VCEsat
IC
Tj=25oC
Typ.(V)

封裝

2MBI50P-140

1,400

75/50

400

2.7

M232

2MBI75P-140

1,400

100/75

600

2.7

M232

2MBI100PC-140

1,400

150/100

780

2.7

M233

2MBI150PC-140

1,400

200/150

1,100

2.7

M233

2MBI200PB-140

1,400

300/200

1,500

2.7

M235

2MBI300P-140

1,400

500/300

2,500

2.7

M238

1MBI600PX-140

1,400

800/600

4,100

2.85

M138

1MBI600PX-120

1,200

800/600

4,100

2.85

M138


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