產品詳情
  • 產品名稱:富士IGBT模塊 H系列

  • 產品型號:2MBI150HH-120-50
  • 產品廠商:FUJI
  • 產品價格:0
  • 折扣價格:0
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簡單介紹:
富士電機功率半導體器件包括:IGBT、IPM、PIM、驅動電路、MOSFET、整流二極管模塊、肖特基管、快恢復二極管、各類接觸器、繼電器、斷路器、溫控器、可編程序顯示器(POD)等,品種齊全,應用極其廣泛。其中,富士IGBT模塊主要有N系列、P系列、S系列、U系列、U4系列、V系列、H系列等多個產品系列,廣泛應用于UPS/EPS、變頻器、各種高頻電源、電焊機、無功功率補償等行業。
詳情介紹:

富士電機開發了IGBT模塊作為電動機的可變速驅動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉換器的開關元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導體元件。



特長

實現了封裝小型化和輸出功率的提高!

  • 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
  • Tj max175°C、150°C時可保證連續運行

環境友好型模塊

  • 高裝配性,支持無焊裝配
  • 支持RoHS(部分除外)

開關特性

  • 改善噪音-損耗平衡
  • 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動

                                             H系列


產品型號

Ic(A)

Vce(sat)

ton

toff

Rth(j-c)

Tc=80

Max(V)

(us)

(us)

K/W

1MBI200HH-120L-50

200

3.1

0.2

0.3

-

1MBI300HH-120L-50

300

3.2

0.2

0.3

-

1MBI400HH-120L-50

400

3.1

0.2

0.4

-

2MBI100HH-120-50

100

3.6

0.6

0.6

-

2MBI150HH-120-50

150

3.7

0.6

0.6

-

2MBI200HH-120-50

200

3.6

0.6

0.6

-


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